產(chǎn)品簡介

STG-I型四探針電阻率測試儀是用來測量硅晶塊、晶片、碎片料、米粒料、頭尾料、堝底料、邊皮料等材料方塊電阻的小型儀器。是生產(chǎn)線上大批量選料的理想儀器，具有簡便的比較功能，操作方便。
      本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的國際及國家標(biāo)準(zhǔn)測試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計，它主要由電器測量部分（主機）及四探針探頭組成。樣品測試電流由高精度的恒流源提供，隨時可進行校準(zhǔn)，以確保電阻率測量的準(zhǔn)確度。對0.1～29.9Ω*cm標(biāo)準(zhǔn)樣片的測量誤差不超過±5%。

（1）測量范圍：

   a.可測量電阻率：0.1～29.9Ω*cm。

   b.可測方塊電阻： 1～299Ω/口。

   c.最大電阻測量誤差（按JJG508-87進行）：0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤±5%。

   d.適合測量各種厚度的硅片，可測晶片直徑（最大）。

   e.圓形Ф100mm ，方形230×220mm。

   f.恒流源：

       輸出電流：0.01～1mA連續(xù)可調(diào)；

       誤    差：≤±0.5%；

       恒流精度：各檔均優(yōu)于±0.1%。

   g.直流數(shù)字電壓表：

       測量范圍：0.1～199.9mv；

       靈 敏 度：100μv；

       準(zhǔn) 確 度：0.2%（±2個字）。

   h.供電電源：

       AC：220V ±10%（保護隔離） 50/60HZ 功率2W。

（2）四探針探頭；

   a.材持：鎢鋼探針；

   b.間距：1±0.01mm；

   c.針尖絕緣電阻：≥100mΩ；

   d.機械游移率：≤1.0%；

   e.探針壓力：12-16牛頓（總力）；

   f.使用環(huán)境：

       環(huán)境溫度：-40～50℃，

       相對濕度：≤80%，無較強的電場干擾，無強光直接照射。

（3）使用方法：

  a. 使用儀器前將電源線、測試筆聯(lián)接線與主機聯(lián)接好，電源線插頭插入220V座插后，開啟背板上的電源開關(guān)，此時前面板上的數(shù)字表、發(fā)光二極管都會亮起來。探針頭壓在被測單晶上，右邊的表顯示從1---4探針流入單晶的測量電流，左邊的表顯示電阻率或2、3探針間的電位差。電流大小通過旋轉(zhuǎn)前面板右上方的電位器旋鈕加以調(diào)節(jié)。

  b. 校準(zhǔn)設(shè)備：厚度小于3.98mm的（本公司提供厚度小于3.98mm的標(biāo)準(zhǔn)電流修正系數(shù)表）取與要備測試硅材料厚度相同的硅材料標(biāo)準(zhǔn)樣塊校準(zhǔn)電阻率測試儀，測試厚度大于3.98mm的硅材料可取厚度大于3.98mm的任一標(biāo)準(zhǔn)樣塊校準(zhǔn)電阻率測試儀。

  c. 測試：用四探針接觸硅材料，以探針壓下三分之二為準(zhǔn)，待儀器顯示數(shù)字穩(wěn)定即可。

產(chǎn)品簡介

    STG-2型四探針電阻率測試儀是用來測量硅晶塊、晶片、碎片料、米粒料、頭尾料、堝底料、邊皮料等材料方塊電阻的小型儀器。是生產(chǎn)線上大批量選料的理想儀器，具有簡便的比較功能，操作方便。
    本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的國際及國家標(biāo)準(zhǔn)測試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計，它主要由電器測量部分（主機）及四探針探頭組成。測試電流由高精寬的恒流源提供，隨時可進行校準(zhǔn)，以確保電阻率測量的準(zhǔn)確度。

（1）測量范圍：

   a.可測量電阻率：0.1～1999Ω*cm。

   b.適合測量各種厚度型狀的硅料。

   c.恒流源：

      輸出電流：0.01～1mA連續(xù)可調(diào)；

      誤    差：≤±0.5%；

      恒流精度：各檔均優(yōu)于±0.1%。

（2）直流數(shù)字電壓表；

     測量范圍：0.1～199.9mv；

     靈 敏 度：100μv；

     準(zhǔn) 確 度：0.2%（±2個字）。

（3）供電電源：

      AC：220V ±10%（保護隔離）50/60HZ

     功率：2W

（4）四探針探頭；

     a.材質(zhì)：鎢鋼探針；

     b.間距：1±0.01mm；

     c.針尖絕緣電阻：≥100mΩ；

     d.機械游移率：≤1.0%；

     e.探針壓力：12-16牛頓（總力）；

     f.使用環(huán)境：

        環(huán)境溫度：-40～50℃；

        相對濕度：≤80%，無較強的電場干擾，無強光直接照射。

（5）使用方法

  a. 使用儀器前將電源線、測試筆聯(lián)接線與主機聯(lián)接好，電源線插頭插入220V座插后，開啟背板上的電源開關(guān)，探針頭壓在被測單晶上，右邊的表顯示從1---4探針流入單晶的測量電流，左邊的表顯示電阻率或2、3探針間的電位差。電流大小通過旋轉(zhuǎn)前面板右上方的電位器旋鈕加以調(diào)節(jié)。

  b. 校準(zhǔn)設(shè)備：測低阻（電阻率≤49.9Ω*cm）時，按下儀器背面切換按鈕，厚度小于3.98mm的，取與要備測試硅材料厚度相同的硅材料標(biāo)準(zhǔn)樣塊校準(zhǔn)電阻率測試儀，測試厚度大于3.98mm的硅材料可取厚度大于3.98mm的任一標(biāo)準(zhǔn)樣塊校準(zhǔn)電阻率測試儀。測高阻（電阻率≥49.9Ω*cm）時，按下切換按鈕復(fù)位即可。

  c. 測試：用四探針接觸硅材料，以探針壓下三分之二為準(zhǔn)，待儀器顯示數(shù)字穩(wěn)定即可。